化工行业的全球领导者 SABIC 今天推出了 LNP™ KONDUIT™ 8TF36E 化合物，这是一种新型特种材料，有助于满足用于对双倍数据速率 (DDR) 进行压力测试的老化测试插座 (BiTS) 的严格要求) 存储器集成电路 (IC)。随着 DDR IC 引脚数量和测试温度的增加以及尺寸的缩小，BiTS 组件中使用的材料必须具有增强的性能。SABIC 的新化合物提供非常高的流动性，有助于实现复杂的小型化 BiTS 设计；出色的尺寸稳定性和耐高温性，可在测试过程中增强 BiTS 功能；和高导热性，以迅速散发热量。

与导热填充尼龙等现有材料相比，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有更高的流动性和更好的尺寸稳定性。客户可以从使用这种新材料中获益，它可以满足他们的所有需求。

LNP & NORYL 业务管理总监 Joshua Chiaw 表示：“DDR 内存 IC 的需求正在稳步增长，这要归功于移动设备和 PC 以外的应用的扩展，例如依赖高数据速率的汽车和云计算系统。”沙特基础工业公司。“为了评估下一代 DDR IC，老化测试插座需要具有改进性能的新材料解决方案——而 SABIC 正在解决这一未满足的需求。我们对高性能材料的持续投资表明了我们对半导体行业的坚定承诺。”

测试性能

双倍数据速率存储器 IC 每个处理器时钟周期获取两次数据，可加速数据传输以满足游戏、人工智能和其他数据密集型应用的高吞吐量需求。这项技术给测试插座制造商带来了更大的压力，他们的产品必须适应更高的电压、更高的温度环境、更小的外形尺寸和更多的引脚。由于这些原因，DDR IC 的 BiTS 设计需要高精度、高耐用性和可操作性。

LNP KONDUIT 8TF36E 化合物具有高流动性，有助于实现具有许多针点的小型化和复杂设计。在测试过程中，它可以轻松承受 150°C 的典型测试温度，同时保持良好的尺寸稳定性，有助于提高测量精度。这种高热能力可能允许 BiTS 重复使用而不会降解。此外，LNP KONDUIT 8TF36E 化合物可以承受高达 260°C 的极端温度，从而具备满足未来更高热 BiTS 要求的能力。最后，为了在测试后快速散热，新产品提供了高达 4.5W/mk 的高导热系数

这种新的 SABIC 化合物非常适用于 BiTS 组件中的固定结构部件，包括闩锁和适配器。

“存储芯片的进步对老化测试插座提出了新的要求，”SABIC 亚太地区配方与应用总监 Jenny Wang 说。“随着 DDR IC 功率的增加，温度控制对于验证 BiTS 系统中的所有设备在可靠性测试期间是否均匀受压至关重要。我们的新型 LNP KONDUIT 材料实现了现有材料无法实现的目标。它不仅具有高导热性，而且还具有有助于成功测试的其他关键特性。”

新的 LNP KONDUIT 8TF36E 化合物已在全球上市。